商品名稱:NV6133A
數(shù)據(jù)手冊:NV6133A.pdf
品牌:Navitas
年份:23+
封裝:QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
NV6133A產(chǎn)品描述
這款GaNFast?電源IC集成了一個高性能的eMode GaN FET,并集成了柵極驅(qū)動,實現(xiàn)了前所未有的高頻和高效率運行。它還集成了GaNSense?技術(shù),能夠?qū)崟r、準確地感應(yīng)電壓、電流和溫度,從而進一步提高任何分立氮化鎵或分立硅器件所無法實現(xiàn)的性能和穩(wěn)健性。GaNSense?實現(xiàn)了集成的無損耗電流感應(yīng),消除了外部電流感應(yīng)電阻,提高了系統(tǒng)效率。GaNSense?還實現(xiàn)了短路和過溫保護,以提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性,而自動待機模式則提高了光、微小和空載效率。這些GaN IC結(jié)合了最高的dV/dt抗擾度、高速集成驅(qū)動和行業(yè)標準的低輪廓、低電感、SMT QFN封裝,使設(shè)計者能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、快速和可靠的解決方案。Navitas的GaN IC技術(shù)擴展了傳統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)的能力,如反激式、半橋、降壓/升壓、LLC和其他諧振式轉(zhuǎn)換器,以非常高的效率和低EMI達到MHz以上的頻率,以非常有吸引力的成本結(jié)構(gòu)達到前所未有的功率密度。
規(guī)格參數(shù)
7、24或30引腳
9V至24V電源電壓范圍
200V/ns dV/dt抗擾度
800V瞬態(tài)電壓
700V連續(xù)電壓
120mΩ至450mΩ的電阻范圍
2MHz操作
6ns到12ns的上升時間范圍
3ns到7ns的下降時間范圍
11ns到25ns的最大傳播延遲時間范圍
2KV ESD等級
-40°C至+125°C工作溫度范圍
應(yīng)用
手機
消費者
數(shù)據(jù)中心
可再生能源和太陽能
電動汽車和電動交通
工業(yè)電機驅(qū)動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)新的電動汽車 (EV) 設(shè)計中心,進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布推出全新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFas…
NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導(dǎo)阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開關(guān)頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內(nèi)置驅(qū)動器,無需外置驅(qū)動器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)的功能擴展到 MHz 以上,使突破性設(shè)計得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6117-RA
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對高頻軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。場效應(yīng)晶體管、驅(qū)動和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動力總成構(gòu)件,使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉(zhuǎn)換器。最高的 dV/…NV6132A-RA
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅(qū)動的高性能 eMode GaN FET,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。它還集成了 GaNSense? 技術(shù),可實時、準確地檢測電壓、電流和溫度,從而進一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實現(xiàn)的?!?/span>NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅(qū)動- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導(dǎo)通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓120 mΩ 低電阻零反向恢復(fù)…電話咨詢:86-755-83294757
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