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GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關損耗和高可靠性。

GAN039-650NTBZ的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 32A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1980 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：250W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

等級：-

資質(zhì)：-

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：CCPAK1212i

封裝/外殼：12-BESOP（0.370"，9.40mm 寬），裸焊盤

應用

電信/服務器鈦金級電源

工業(yè)車輛充電

太陽能 (PV) 逆變器

交流伺服驅(qū)動器/變頻器

電池存儲/UPS逆變器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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