商品名稱：GaN FET
品牌：Nexperia
年份：24+
封裝：WLCSP-22
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。
特性：
增強模式－常關(guān)電源開關(guān)
雙向器件
超高開關(guān)速度能力
超低導通電阻
符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標準
高效率和高功率密度
晶圓級芯片尺寸封裝 (WLCSP): 2.1mm x 2.1mm
應(yīng)用：
高側(cè)負載開關(guān)
智能手機USB端口中的OVP保護
電源開關(guān)電路
備用電源系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
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安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性：增強模式－常關(guān)電源開關(guān)超高頻開關(guān)能力無體二極…
NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用標準7引腳TO-263塑料封裝（用于表面貼裝PCB技術(shù)），具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用，包括電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機驅(qū)動器。NSF060120D7A0J的規(guī)格：通道模式…
NSF040120L4A0Q
NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引腳TO-247塑料封裝，具有出色的漏源導通電阻溫度穩(wěn)定性。該系列具有低開關(guān)損耗、快速反向恢復和快速開關(guān)速度。典型應(yīng)用包括電動汽車（ev）充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器、開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷…
NSF040120D7A0J
NSF040120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用標準7引腳TO-263塑料封裝（用于表面貼裝PCB技術(shù)），具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該款MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用，包括電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機驅(qū)動器。NSF040120D7A0J的規(guī)格：通道?！?/span>電話咨詢：86-755-83294757
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