PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。
PSC2065JJ 的特點
零正向和反向恢復
降低系統(tǒng)成本
與溫度無關的快速平穩(wěn)開關性能
出色的性能系數(shù)（Qc x VF）
高 IFSM 能力
高功率密度
降低系統(tǒng)成本
系統(tǒng)微型化
降低 EMI
PSC2065JJ 的應用
開關模式電源 (SMPS)
AC-DC 和 DC-DC 轉換器
電池充電基礎設施
服務器和電信電源
不間斷電源 (UPS)
光伏逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產品組合，能夠滿足汽車…
PSC2065LQ
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GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強模式－常關電源開關雙向器件超高開關速度能力超低導通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標準高效率和高功率密…
GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性：增強模式－常關電源開關超高頻開關能力無體二極…
NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用標準7引腳TO-263塑料封裝（用于表面貼裝PCB技術），具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應用，包括電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器和電機驅動器。NSF060120D7A0J的規(guī)格：通道模式…電話咨詢：86-755-83294757
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