SCTW100N120G2AG 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先進、創(chuàng)新的第二代碳化硅 MOSFET 技術開發(fā)而成。該器件的單位面積導通電阻非常低，開關性能非常好。開關損耗的變化幾乎不受結溫的影響。
SCTW100N120G2AG 的特性
通過 AEC-Q101 認證
高速開關性能
非?？焖俸蛨怨痰谋倔w二極管
低電容
極高的工作結溫能力（TJ = 200 °C）
SCTW100N120G2AG 的應用
變頻器牽引
直流-直流轉換器
太陽能逆變器
OBC
型號
品牌
封裝
數量
描述
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意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
HFA80A-F2Y
HFA80A-F2Y 是一款 D 類音頻放大器，采用 BCD9s 技術，專為汽車應用而設計。HFA80A-F2Y 集成了先進的解決方案，具有出色的輻射噪聲抗擾度和 2 MHz 開關 PWM D 類輸出級的優(yōu)勢。這種配置可實現出色的音頻性能，同時設計出結構緊湊、成本低廉的應用。HFA80A-F2Y 的規(guī)格類別…
STM32H523ZET6
概述：STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用144引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523ZEJ6
概述：STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VET6
概述：STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VEI6
概述：STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523RET6
概述：STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…電話咨詢：86-755-83294757
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