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產(chǎn)品說明:1200V, 567A, 內(nèi)置半橋溝槽MOS的全SiC功率模塊
封裝:Module產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)模塊 1200V 350A 底座安裝,62 mm, 半橋
封裝:Module產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)模塊 1200V 530A 底座安裝,62 mm, 半橋
封裝:Module產(chǎn)品說明:1200 V, 11 mΩ, GM, T型, 工業(yè)級碳化硅(SiC)模塊
封裝:Module產(chǎn)品說明:1200 V, 4 mΩ, GM, 半橋,工業(yè)級碳化硅(SiC)模塊
封裝:Module產(chǎn)品說明:SiC M3 MOSFET 模塊、1200 V、2 Pack半橋拓?fù)?、F2封裝,帶Si3N4 DBC
封裝:PIM-36產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:1200 V 汽車級碳化硅功率 MOSFET,27mΩ,56 A,HiP247
封裝:HiP247-3產(chǎn)品說明:20 A、1200 V SiC合并引腳肖特基(MPS)雙通道二極管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:60 A、650 V SiC合并引腳肖特基(MPS)雙通道二極管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:20 A、650 V SiC合并引腳肖特基(MPS)雙通道二極管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:30 A、650 V SiC合并引腳肖特基(MPS)二極管
封裝:TO-220-2產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
封裝:TO-247-4電話咨詢:86-755-83294757
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