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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):TW045Z120C

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:TOSHIBA

年份:24+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
TOSHIBA
型號(hào)
TW045Z120C
封裝
TO-247-4
描述
SiC MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 40A(Tc) 182W(Tc) TO-247-4L(X)

產(chǎn)品描述

TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFET

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):62 毫歐 @ 20A,18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 6.7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):57 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+25V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1969 pF @ 800 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):182W(Tc)

工作溫度:175°C

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L(X)

封裝/外殼:TO-247-4


概述

Toshiba 1200V第三代碳化硅MOSFET 設(shè)計(jì)用于大功率工業(yè)應(yīng)用,例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。 這些MOSFET采用SiC技術(shù),大大有助于降低功耗和提高功率密度。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高電壓、更快開關(guān)和更低導(dǎo)通電阻。除了低輸入電容、公共柵極輸入電荷和低至15mΩ 的漏極-源極導(dǎo)通電阻外,該設(shè)計(jì)還增強(qiáng)了可靠性。


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常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

TOSHIBA

TOSHIBA

TOSHIBA(東芝),是日本最大的半導(dǎo)體制造商、第二大綜合電機(jī)制造商,隸屬于三井集團(tuán)。東芝原名東京芝浦電氣株式會(huì)社,1939年由株式會(huì)社芝浦制作所和東京電氣株式會(huì)社合并而成;從1875年開創(chuàng)至今,已經(jīng)走過了140年的漫長歷程。2018年,東芝將其筆記本電腦業(yè)務(wù)賣給了夏普?!?/p>

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