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商品型號:C3M0040120D

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Wolfspeed

年份:24+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Wolfspeed
型號
C3M0040120D
封裝
TO-247-3
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 66A(Tc) 326W(Tc) TO-247-3

產(chǎn)品描述

C3M0040120D是一款基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 40 mΩ, 66 A碳化硅功率MOSFET,提高了CGS/CGD比,可實現(xiàn)更好的硬開關(guān)性能。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。


C3M0040120D的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:12 ns

正向跨導 - 最小值:21 S

Id-連續(xù)漏極電流:66 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 40°C

安裝風格:Through Hole

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:TO-247-3

封裝:Tube

Pd-功率耗散:326 W

產(chǎn)品:MOSFETs

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:101 nC

Rds On-漏源導通電阻:40 mOhms

上升時間:60 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:15 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 15 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.6 V


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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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