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DMWSH120H90SCT7Q是一款1200V N溝道碳化硅功率MOSFET，采用TO-263-7封裝，設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。

DMWSH120H90SCT7Q的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：8.5 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：5 S

Id-連續(xù)漏極電流：38.2 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-263-7

封裝：Tube

Pd-功率耗散：197 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：54.6 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：90 mOhms

上升時間：18.8 ns

工廠包裝數(shù)量：50

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：17.2 ns

典型接通延遲時間：9.1 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 15 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5 V

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