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RCX450N20一款10V驅(qū)動型 N溝道功率MOSFET，電界効果晶體管的MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設(shè)備」而在廣泛領(lǐng)域得以應(yīng)用的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復(fù)合型的產(chǎn)品線對應(yīng)多種市場需求。

產(chǎn)品屬性

制造商: ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 45 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 42 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 80 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 40 W

通道模式: Enhancement

系列: RCX450N20

配置: Single

下降時間: 70 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 210 ns

工廠包裝數(shù)量:  500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 90 ns

典型接通延遲時間: 52 ns

單位重量: 2 g

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