BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。
特性：
Nano CAP?集成輸出可選5V LDO
為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品
寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓
IN引腳電壓的寬工作范圍
低VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高dv/dt抗噪性
可調(diào)柵極驅(qū)動器強度
電源良好信號輸出
VDD UVLO保護
熱關(guān)斷保護
應用：
工業(yè)設備
電源與大功率密度
高效需求
橋拓撲結(jié)構(gòu)如圖騰柱PFC
LLC電源
適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小…
SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝，設計符合AEC-Q101標準。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流…
SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET，非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應用。與以往的3引腳封裝（TO-247N）相比，導通損耗和關(guān)斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技…
SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝，能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅…
SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFE…
SCT3105KRC15
SCT3105KRC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝，能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3105KRC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體…電話咨詢：86-755-83294757
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