STL160N10F8是一款 100 V N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技術設計，具有增強型溝槽柵極結構。
它確保了極低導通電阻的先進性能指標，同時降低了內部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更快、更高效的開關。
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 158 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 90 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 19 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
應用
? 服務器和電信電源
? 工業(yè)電池管理系統(tǒng) (BMS)
? 電動工具
? 無人機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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概述：STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
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概述：STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VEI6
概述：STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…
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概述：STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內核規(guī)格：32-位速度：…電話咨詢：86-755-83294757
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