商品名稱:PSMNR90-40YLHX
數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMNR90-40YLHX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
PSMNR90-40YLHX 300 安培、邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,采用 175 °C LFPAK56E 封裝,采用先進(jìn)的 TrenchMOS 超結(jié)技術(shù)。該產(chǎn)品專為高性能功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)并通過(guò)了認(rèn)證。
特性和優(yōu)勢(shì)
300 A 連續(xù)負(fù)載(最大值)
雪崩額定值,100% 通過(guò)測(cè)試
NextPower-S3 技術(shù)提供 "軟體二極管恢復(fù) "的超快開(kāi)關(guān)功能
低 QRR、Qc 和 Qco,實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和低 EMI 設(shè)計(jì)
Schottky-Plus 體二極管提供軟開(kāi)關(guān),而不會(huì)產(chǎn)生相關(guān)的高漏損
強(qiáng)大的線性模式 1 SOA 額定值
針對(duì) 4.5 V 柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化,采用 NextPower S3 超結(jié)技術(shù)
高可靠性 LFPAK(功率 SO8)封裝,采用銅夾和焊接芯片連接,耐溫高達(dá) 175 °C
外露引線可采用波峰焊接、可視焊點(diǎn)檢測(cè)和高質(zhì)量焊點(diǎn),以確保最終可靠性
寄生電感和電阻低
應(yīng)用
高性能同步整流
直流至直流轉(zhuǎn)換器
高性能、高效率服務(wù)器電源
無(wú)刷直流電機(jī)控制
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)和電子保險(xiǎn)絲
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無(wú)引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)雙向器件超高開(kāi)關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無(wú)鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無(wú)引線封裝 (VQFN)。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)超高頻開(kāi)關(guān)能力無(wú)體二極…NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET,采用標(biāo)準(zhǔn)7引腳TO-263塑料封裝(用于表面貼裝PCB技術(shù)),具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。NSF060120D7A0J的規(guī)格:通道模式…NSF040120L4A0Q
NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅(SiC)的1200V功率MOSFET,采用成熟的4引腳TO-247塑料封裝,具有出色的漏源導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性。該系列具有低開(kāi)關(guān)損耗、快速反向恢復(fù)和快速開(kāi)關(guān)速度。典型應(yīng)用包括電動(dòng)汽車(ev)充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷…電話咨詢:86-755-83294757
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