商品名稱：IMT65R039M1HXUMA1
數(shù)據手冊：
IMT65R039M1HXUMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-HSOF-8-1
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IMT65R039M1HXUMA1 CoolSiC? 650V MOSFET將碳化硅的物理強度與放大器件性能、可靠性和易用性相結合。 憑借其最先進的溝槽半導體工藝，CoolSiC? MOSFET在應用中提供最低的損耗，在操作中提供最高的可靠性。CoolSiC非常適合在高溫和惡劣環(huán)境應用中使用。
特性
?優(yōu)化了高電流下的開關行為
?換向堅固耐用的快體二極管，QF低
?優(yōu)越的氧化物可靠性
?TJ，Max=175°CanExcellentThermalBehavior
?較低的RDS（開啟）和PUL安全性對溫度的依賴性
?提高雪崩能力
?兼容標準驅動器（推薦驅動電壓：0V-18V）
?KelvinSource提供高達4倍的低開關損耗
應用
?SMPS
?UPS（不間斷電源）
?太陽能光伏逆變器
?EV充電基礎設施
?儲能和電池形成
?D類放大器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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