商品名稱：XPQR3004PB
數(shù)據(jù)手冊：
XPQR3004PB.pdf
品牌：TOSHIBA
年份：23+
封裝：8-PowerBSFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
XPQR3004PB 是硅 N 溝道 MOS 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：400A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.3mOhm @ 200A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：295 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：26910 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
工作溫度：175°C
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：L-TOGL?
封裝/外殼：8-PowerBSFN
特性
通過 AEC-Q101 認證
低漏極-源極導(dǎo)通電阻： RDS(ON) = 0.23 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
低漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 40 V）
增強模式： Vth = 2.0 至 3.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
應(yīng)用
汽車
開關(guān)穩(wěn)壓器
電機驅(qū)動器
直流-直流轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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TOSHIBA（東芝），是日本最大的半導(dǎo)體制造商、第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團。東芝原名東京芝浦電氣株式會社，1939年由株式會社芝浦制作所和東京電氣株式會社合并而成；從1875年開創(chuàng)至今，已經(jīng)走過了140年的漫長歷程。2018年，東芝將其筆記本電腦業(yè)務(wù)賣給了夏普?！?/p>
TW140Z120C
TW140Z120C是一款采用TO-247-4封裝形式的20A、1200V第三代碳化硅MOSFET，設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用，例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW140Z120C的規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）…
TW060Z120C
TW060Z120C 是一款采用TO-247-4封裝形式的36A、1200V第三代碳化硅MOSFET。規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：82 毫歐 @ 18A，1…
TW045Z120C
TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFETFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：62 毫歐 @ 20A，18V不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）…
TW015Z120C
TW015Z120C是一款100A、1200V第三代碳化硅MOSFET器件，設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用，例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW015Z120C（參數(shù)）FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流…
TW015Z65C
TW015Z65C是一款100A、650V第三代碳化硅MOSFET，具有高電壓、更快開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用，例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW015Z65C（參數(shù)）FET 類型：N 通道技術(shù)…
TW027Z65C
TW027Z65C器件是一款58A、650V第三代碳化硅MOSFET，具有高電壓、更快開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用，例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW027Z65C（參數(shù)）FET 類型：N 通道…電話咨詢：86-755-83294757
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