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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

服務(wù)電話:86-755-83294757

產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

SR5E1E770C30F00X
ST

產(chǎn)品說明：ARM? Cortex?-M7 - 微控制器 IC 32 位雙核 300MHz 2MB（2M x 8） 閃存 176-eLQFP（24x24）

封裝：176-LQFP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT018W65G3-4AG
ST

產(chǎn)品說明：汽車級碳化硅功率 MOSFET 650 V，典型值 20 mΩ，55 A采用 HiP247-4 封裝

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TSC199A1ICT
ST

產(chǎn)品說明：電流檢測 放大器 1 電路 單端 SC-70-6

封裝：SC70-6
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TSC199A2IQT
ST

產(chǎn)品說明：電流檢測 放大器 1 電路 單端 10-QFN（1.8x1.4）

封裝：10-WFQFN
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TSC199A3ICT
ST

產(chǎn)品說明：電流檢測 放大器 1 電路 單端 SC-70-6

封裝：SC70-6
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TSZ151IYLT
ST

產(chǎn)品說明：斷路器（零漂移） 放大器 1 電路 單端，軌至軌 SOT-23-5

封裝：SOT-23-5
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TSZ151ILT
ST

產(chǎn)品說明：斷路器（零漂移） 放大器 1 電路 單端，軌至軌 SOT-23-5

封裝：SOT-23-5
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SPC584B70E1NHC0Y
ST

產(chǎn)品說明：e200z420 null 微控制器 IC 32-位 120MHz 2MB（2M x 8） 閃存 64-eTQFP（10x10）

封裝：64-TQFP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SR5E1E370C30F00X
ST

產(chǎn)品說明：ARM? Cortex?-M7 - 微控制器 IC 32 位雙核 300MHz 2MB（2M x 8） 閃存 100-eTQFP（14x14）

封裝：100-TQFP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT015W120G3-4AG
ST

產(chǎn)品說明：汽車級碳化硅功率 MOSFET 1200 V，典型值 15 mΩ，129 A 采用 HiP247-4 封裝

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STSPIN32G0251QTR
ST

產(chǎn)品說明：250 V 三相無刷直流控制器，帶嵌入式 STM32 MCU

封裝：72-VFQFN
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
ST4E1240DT
ST

產(chǎn)品說明：高速 3.3 V / 5 V RS485 收發(fā)器，帶 ±12 kV IEC 61000-4-2 觸點(diǎn) 靜電放電保護(hù)

封裝：8-SOIC
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TSL6801ILT
ST

產(chǎn)品說明：納功率 600 nA、軌至軌、5 V 高性價(jià)比運(yùn)算放大器

封裝：SOT-23-5
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SR5E1E770C30F00Y
ST

產(chǎn)品說明：ARM? Cortex?-M7 - 微控制器 IC 32 位雙核 300MHz 2MB（2M x 8） 閃存 176-eLQFP（24x24）

封裝：176-LQFP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA40N12G24AG
ST

產(chǎn)品說明：汽車級碳化硅功率 MOSFET 1200 V，典型值 75 mΩ，33 A 采用 HiP247-4 封裝

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT070W120G3-4AG
ST

產(chǎn)品說明：汽車級碳化硅功率 MOSFET 1200 V，典型值 63 mΩ，30 A 采用 HiP247-4 封裝

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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