ROHM Semiconductor Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC設計用于要求苛刻的電子系統(tǒng)。描述：BM3G007MUV-LBE2器件非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合…
ROHM Semiconductor Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC設計用于要求苛刻的電子系統(tǒng)。
描述：
BM3G007MUV-LBE2器件非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實現(xiàn)高達150V/ns的開關速度。另外，其柵極驅動強度可調節(jié)，這非常有助于降低EMI。該產品還內置各種保護功能和其他附加功能，可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設計旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關。
特征：
Nano CAP?集成輸出可選5V LDO
為工業(yè)應用提供長期支持產品
寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓
IN引腳電壓的寬工作范圍
低VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高dv/dt抗噪性
可調柵極驅動器強度
電源良好信號輸出
VDD UVLO保護
熱關斷保護
應用：
工業(yè)設備
電源與大功率密度
高效需求
橋拓撲結構如圖騰柱PFC
LLC電源
適配器
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