概述：NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標…
概述：
NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標準，具有PPAP功能。該MOSFET適合用于電池反向保護、電源開關、開關電源以及其他需要增強板級可靠性的汽車應用。
主要特性：
占位面積小 (5mm x 6mm)，設計緊湊
低RDS(ON)，可最大限度地降低導通損耗
QG 和電容較小，可使驅(qū)動器損耗最小化
漏極-源極電壓（VDSS）：60V
連續(xù)漏極電流（ID）：50A（TC = 25°C時）
漏極-源極導通電阻（RDS(on)）：9.2mΩ
行業(yè)標準LFPAK4封裝
符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能
無鉛，符合RoHS指令
應用
反向電池保護
電源開關（如高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器和半橋）
電磁驅(qū)動器
電機控制
負載開關
開關電源
封裝尺寸
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