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英飛凌推出業(yè)界首款用于太空應(yīng)用的QML認(rèn)證512 Mbit NOR閃存

英飛凌推出業(yè)界首款用于太空應(yīng)用的QML認(rèn)證512 Mbit NOR閃存

來源:本站時(shí)間:2024-11-28瀏覽數(shù):

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出業(yè)界首款用于太空和極端環(huán)境應(yīng)用的512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)QSPI NOR閃存 。這款半導(dǎo)體器件采用快速四串行外設(shè)接口(133 MHz),具有極高的密度、輻射和單次事件效應(yīng)(SEE)性能,是一款完全通過QML認(rèn)證的非…

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出業(yè)界首款用于太空和極端環(huán)境應(yīng)用的512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)QSPI NOR閃存 。這款半導(dǎo)體器件采用快速四串行外設(shè)接口(133 MHz),具有極高的密度、輻射和單次事件效應(yīng)(SEE)性能,是一款完全通過QML認(rèn)證的非易失性存儲(chǔ)器,可與太空級(jí)FPGA和微處理器配合使用。


這款新器件由美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室太空飛行器局(AFRL)資助,并與Microelectronics Research Development Corporation(Micro-RDC)共同開發(fā)而成。它基于英飛凌經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的SONOS(硅襯底-隧穿氧化層-電荷存儲(chǔ)層氮化硅-阻擋氧化層-多晶硅柵極)電荷柵阱技術(shù),運(yùn)行速度較低密度替代品提高多達(dá)30%。


AFRL太空電子技術(shù)項(xiàng)目經(jīng)理Richard Marquez 表示:“下一代太空級(jí)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者對(duì)高可靠性、高密度存儲(chǔ)器的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC 等行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作,共同開發(fā)出一種集高密度、高數(shù)據(jù)傳輸速率與優(yōu)于替代品的輻射性能于一身的技術(shù)解決方案。”


Micro-RDC總裁Joseph Cuchiaro表示:“英飛凌的抗輻射加固設(shè)計(jì)NOR閃存很好地補(bǔ)充了Micro-RDC的極端應(yīng)用環(huán)境解決方案系列。隨著512 Mbit密度器件的推出,設(shè)計(jì)者能夠設(shè)計(jì)出性能卓越的系統(tǒng),以滿足比以往更廣泛任務(wù)類型的嚴(yán)格要求。”


英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務(wù)副總裁Helmut Puchner表示:“此次英飛凌512 Mbit NOR閃存家族擴(kuò)展到抗輻射加固存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合,進(jìn)一步證明了我們致力于提供高度可靠的高性能存儲(chǔ)器來滿足下一代太空需求。與AFRL和Micro-RDC的合作推動(dòng)了行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)的發(fā)展,通過采用提高關(guān)鍵衛(wèi)星功能性能的技術(shù),來應(yīng)對(duì)空間應(yīng)用中遇到的極端環(huán)境。”


英飛凌的 SONOS 技術(shù)獨(dú)特地結(jié)合了密度和速度,以及先進(jìn)的輻射性能,具有高達(dá) 10000 P/E 的出色耐用性和長達(dá)10年的數(shù)據(jù)保存期。該產(chǎn)品的133 MHz QSPI接口為太空級(jí)FPGA和處理器提供了高數(shù)據(jù)傳輸速率,并采用占板面積1” x 1”的陶瓷 QFP(QML-V),以及占板面積更小的 0.5” x 0.8”塑料 TQFP(QML-P)兩種封裝。此外,該器件還為太空FPGA引導(dǎo)代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE性能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認(rèn)證,能夠滿足最嚴(yán)格的行業(yè)資格認(rèn)證要求。


該器件的典型用例包括太空級(jí)FPGA的配置映像存儲(chǔ)和太空級(jí)多核處理器的獨(dú)立啟動(dòng)代碼存儲(chǔ)。更多信息,請(qǐng)?jiān)L問 www.infineon.com


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