商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
UJ4C075018K4S:750V,18mohm,碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管,TO-247-4
基本信息:
型號:UJ4C075018K4S
封裝:TO-247-4
類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(共源共柵 SiCJFET)
漏源電壓(Vdss):750 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):81A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):23 毫歐 @ 20A,12V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):37.8 nC @ 15 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1422 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):385W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4
封裝/外殼:TO-247-4
UJ4C075018K4S 產(chǎn)品特征:
最高工作溫度: 175 °C
導(dǎo)通電阻 (RDS(on)): 18 歐姆(典型值)
出色的反向恢復(fù)能力
低柵極電荷
UJ4C075018K4S 應(yīng)用:
電動汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
電機驅(qū)動器
感應(yīng)加熱
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…NTBL032N065M3S
NTBL032N065M3S:碳化硅 (SiC) MOSFET——650V、55A、N通道 MOSFET 晶體管,H-PSOF-8型號:NTBL032N065M3S封裝:H-PSOF-8類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NTBL032N065M3S 產(chǎn)品特點:最高結(jié)溫 175C無引線薄型 SMD 封裝開爾文源配置出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]超低柵極…UJ3C065030T3S
UJ3C065030T3S:碳化硅(SiC)MOSFET——650V,85A,N通道 MOSFET 晶體管,TO-220-3基本信息:型號:UJ3C065030T3S封裝:TO-220-3類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管UJ3C065030T3S 產(chǎn)品屬性:FET 類型:N 通道漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):85A(Tc…UJ3C120150K3S
UJ3C120150K3S 是一款 1200V,150mohm,碳化硅 (SiC) 級聯(lián) JFET - EliteSiC 晶體管,采用 TO-247-3 封裝?;拘畔ⅲ盒吞枺篣J3C120150K3S封裝:TO-247-3類型:碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管應(yīng)用:- 電動汽車充電- 光伏逆變器- 功率因數(shù)校正裝置- 電機驅(qū)動器- 感應(yīng)加熱UJ3C1…UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S:650V,27mohm,碳化硅 (SiC) 級聯(lián) JFET - EliteSiC,TO-247-3基本信息:型號:UJ3C065030K3S封裝:TO-247-3類型:碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管UJ3C065030K3S 產(chǎn)品屬性:FET 類型:N 通道漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):85A(Tc)驅(qū)動…電話咨詢:86-755-83294757
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