商品名稱(chēng):晶閘管模塊
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
TD330N18AOF 是用于相位控制的晶閘管/二極管 50 mm 功率模塊,電壓 1800 V,電流 330 A,采用高可靠性壓力觸點(diǎn)技術(shù)。還可提供預(yù)涂熱界面材料。
TD330N18AOF 的特點(diǎn)
高可靠性壓力觸點(diǎn)
先進(jìn)的中功率技術(shù)
同類(lèi)最佳的功率密度
50 毫米外殼中的最大浪涌電流
在整個(gè)使用壽命期間具有可預(yù)測(cè)的性能
TD330N18AOF 的優(yōu)點(diǎn)
專(zhuān)為滿足高過(guò)載要求而設(shè)計(jì)
在整個(gè)使用壽命期間具有較高的直流阻塞穩(wěn)定性
高浪涌電流能力
一個(gè)供應(yīng)商可提供多種模塊
TD330N18AOF 的應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
電機(jī)控制
不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…FZ1000R45KL3
FZ1000R45KL3 是 IHV 4500 V、1000 A 130 mm 單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊,帶有溝槽/場(chǎng)截止 IGBT3、發(fā)射極受控 3 二極管和隔離的 AlSiC 底板。FZ1000R45KL3 的特點(diǎn)高直流穩(wěn)定性高短路能力,自限制短路電流高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性低 V(CEsat),正溫度系數(shù)10.2 kV 交流隔離高爬電距離和間隙距…FZ1800R45HL4
FZ1800R45HL4 是 IHV-B 4500 V、1800 A 190 mm 單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊,帶有溝槽/場(chǎng)截止 IGBT4、發(fā)射極受控 4 個(gè)二極管和隔離 AlSiC 底板 - 是工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。FZ1800R45HL4 的特點(diǎn)極低的靜態(tài)損耗最高的動(dòng)態(tài)魯棒性高直流穩(wěn)定性正溫度系數(shù)的低 VCEsatFZ1800R45HL4 的優(yōu)…FP75R17N3E4
FP75R17N3E4 是 EconoPIM?3 模塊,帶有溝槽/場(chǎng)截止 IGBT4 和發(fā)射極可控二極管及 NTC。FP75R17N3E4 的特點(diǎn)擴(kuò)展工作溫度 Tvjop低 VcEsat溝槽式 IGBT 4正溫度系數(shù) VcEsat集成 NTC 溫度傳感器隔離底板焊接接觸技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)外殼FP75R17N3E4 的應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器FD300R17KE4P
FD300R17KE4P 是 62 mm 1700 V、300 A 斬波器 IGBT4 模塊,預(yù)涂有熱界面材料。FD300R17KE4P 的特點(diǎn)專(zhuān)為變頻控制驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)通過(guò) UL/CSA 認(rèn)證,符合 UL1557 E83336 標(biāo)準(zhǔn)過(guò)載能力最高可達(dá) 175 C優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能符合 RoHS 規(guī)范FD300R17KE4P 的優(yōu)點(diǎn)靈活性最佳電氣性能最高可靠性…IMZ120R060M1H
IMZ120R060M1H:采用TO247-4封裝的1200V,CoolSiC?溝槽式碳化硅 MOSFET 晶體管基本信息:型號(hào):IMZ120R060M1H封裝:TO-247-4類(lèi)型:CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管概述:IMZ120R060M1H 是采用TO247-4封裝的1200V、60mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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