TT425N16KOF 是晶閘管 60 mm 功率模塊,電壓 1600 V,電流 425 A,采用壓力觸點(diǎn)技術(shù),使用隔離鋁底板進(jìn)行相位控制。
TT425N16KOF 的特點(diǎn)
采用壓力接觸技術(shù),可靠性高
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
電絕緣底板
先進(jìn)的中功率技術(shù) (AMPT)
故障時(shí)短路
最高的堅(jiān)固性
TT425N16KOF 的優(yōu)點(diǎn)
專為滿足高過載和功率循環(huán)要求而設(shè)計(jì)
在整個(gè)使用壽命期間具有較高的直流阻斷穩(wěn)定性
高浪涌電流能力,尤其適用于短時(shí)電網(wǎng)尖峰脈沖
提供各種功率模塊的唯一供應(yīng)商
TT425N16KOF 的應(yīng)用
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
風(fēng)能系統(tǒng)
牽引
商用車、工程車和農(nóng)用車 (CAV)
不間斷電源 (UPS)
工業(yè)加熱和焊接
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…FZ1000R45KL3
FZ1000R45KL3 是 IHV 4500 V、1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,帶有溝槽/場截止 IGBT3、發(fā)射極受控 3 二極管和隔離的 AlSiC 底板。FZ1000R45KL3 的特點(diǎn)高直流穩(wěn)定性高短路能力,自限制短路電流高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性低 V(CEsat),正溫度系數(shù)10.2 kV 交流隔離高爬電距離和間隙距…FZ1800R45HL4
FZ1800R45HL4 是 IHV-B 4500 V、1800 A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,帶有溝槽/場截止 IGBT4、發(fā)射極受控 4 個(gè)二極管和隔離 AlSiC 底板 - 是工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。FZ1800R45HL4 的特點(diǎn)極低的靜態(tài)損耗最高的動(dòng)態(tài)魯棒性高直流穩(wěn)定性正溫度系數(shù)的低 VCEsatFZ1800R45HL4 的優(yōu)…FP75R17N3E4
FP75R17N3E4 是 EconoPIM?3 模塊,帶有溝槽/場截止 IGBT4 和發(fā)射極可控二極管及 NTC。FP75R17N3E4 的特點(diǎn)擴(kuò)展工作溫度 Tvjop低 VcEsat溝槽式 IGBT 4正溫度系數(shù) VcEsat集成 NTC 溫度傳感器隔離底板焊接接觸技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)外殼FP75R17N3E4 的應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器FD300R17KE4P
FD300R17KE4P 是 62 mm 1700 V、300 A 斬波器 IGBT4 模塊,預(yù)涂有熱界面材料。FD300R17KE4P 的特點(diǎn)專為變頻控制驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)通過 UL/CSA 認(rèn)證,符合 UL1557 E83336 標(biāo)準(zhǔn)過載能力最高可達(dá) 175 C優(yōu)化的開關(guān)性能符合 RoHS 規(guī)范FD300R17KE4P 的優(yōu)點(diǎn)靈活性最佳電氣性能最高可靠性…IMZ120R060M1H
IMZ120R060M1H:采用TO247-4封裝的1200V,CoolSiC?溝槽式碳化硅 MOSFET 晶體管基本信息:型號(hào):IMZ120R060M1H封裝:TO-247-4類型:CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管概述:IMZ120R060M1H 是采用TO247-4封裝的1200V、60mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工…電話咨詢:86-755-83294757
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