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SCTH40N120G2V-7 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET采用H2PAK-7封裝，具有100m?（典型值）和 36A（額定值）特性。該器件還具有出色的開關性能，以及極低的單位面積導通電阻RDS(on)性能指標，從而實現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。應用包括開關模式電源、直流/直流轉換器和工業(yè)電機控制。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 歐姆 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1233 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：238W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：H2PAK-7

基本產(chǎn)品編號：SCTH40

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