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美光MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G NAND閃存器件包括一個用于高性能I/O操作的異步數(shù)據(jù)接口。這些器件使用一個高度復用的8位總線（I/Ox）來傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。有五個控制信號用于實現(xiàn)異步數(shù)據(jù)接口： CE#, CLE, ALE, WE#, 和RE#。其他信號控制硬件寫保護和監(jiān)測設備狀態(tài)（R/B#）。

這種硬件接口創(chuàng)造了一個低引腳數(shù)的設備，它的標準引腳排列在不同的密度下保持不變，使得將來升級到更高的密度時無需重新設計電路板。目標是由芯片使能信號訪問的內(nèi)存單元。

一個目標包含一個或多個NAND閃存芯片。一個NAND閃存芯片是能夠獨立執(zhí)行命令和報告狀態(tài)的最小單元。在ONFI規(guī)范中，一個NAND閃存芯片被稱為一個邏輯單元（LUN）。每個芯片啟用信號至少有一個NAND閃存芯片。更多細節(jié)，請參見設備和陣列組織。

該器件有一個內(nèi)部4位ECC，可以使用GET/SET功能啟用。更多信息請參見內(nèi)部ECC和ECC的備用區(qū)域映射。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類:NAND閃存

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VFBGA-63

系列:MT29F

存儲容量:2 Gbit

接口類型:Parallel

組織:256 M x 8

定時類型:Asynchronous

數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit

電源電壓-最小:1.7 V

電源電壓-最大:1.95 V

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 105 C

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