商品名稱:NAND 閃存
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-63
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
型號(hào):AS9F34G08SA-25BIN
封裝:FBGA-63
類型:NAND 閃存存儲(chǔ)器
詳細(xì)描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器
AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:
存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:閃存
技術(shù):FLASH - NAND(SLC)
存儲(chǔ)容量:4Gb
存儲(chǔ)器組織:512M x 8
存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字,頁:25ns,700μs
訪問時(shí)間:20 ns
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:63-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝:63-FBGA(9x11)
AS9F34G08SA-25BIN - 主要規(guī)格和優(yōu)勢(shì):
3.3V VCC
密度從 1Gb 到 8Gb
快速塊擦除時(shí)間典型值低至 3 毫秒
符合 ONFI 1.0 規(guī)范
x8 I/O 接口
可劃分為獨(dú)立的可擦除塊
- 允許保留有效數(shù)據(jù),同時(shí)擦除舊數(shù)據(jù)
可靠的長(zhǎng)期性能
- 100,000 次編程/擦除循環(huán)--每 528 字節(jié)有 4 位 ECC
- 10 年數(shù)據(jù)保存期
采用 9.0 毫米 x 11.0 毫米 x 1.0 毫米 63 球 FBGA 封裝
可在工業(yè)(-40°C 至 +85°C)和汽車(-40°C 至 +105°C)溫度范圍內(nèi)使用
符合 RoHS 規(guī)范
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為多個(gè)可獨(dú)立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。型號(hào):AS9F38G08SA-25BI…AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲(chǔ)器類型:非易失存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲(chǔ)容量:4Gb存儲(chǔ)器組織:512M x 8存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)寫周期時(shí)間 - 字,頁:25ns,700s訪問時(shí)間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為…AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(xiàng)(x16 或 x8)AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部有十六個(gè)存儲(chǔ)塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大?。? Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時(shí)鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…ASFC32G31T3-51BIN
ASFC32G31T3-51BIN e-MMC 是一種可管理的非易失性存儲(chǔ)器,由單芯片 MMC 控制器和 NAND 閃存芯片組成,采用 JEDEC 定義的標(biāo)準(zhǔn) BGA 封裝。它是專為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和作為啟動(dòng)媒體而設(shè)計(jì)的小型存儲(chǔ)器產(chǎn)品。ASFC32G31T3-51BIN 的規(guī)格封裝/外殼: FBGA-153 內(nèi)存大?。?2 GB 配置:TLC…電話咨詢:86-755-83294757
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