商品名稱：BSZ036NE2LSATMA1
數(shù)據(jù)手冊：
BSZ036NE2LSATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
BSZ036NE2LSATMA1是N溝道功率MOSFET晶體管，極低的柵極和輸出電荷，加上極低的導通電阻和小封裝尺寸，使OptiMOS? 25V成為要求嚴格的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和通信穩(wěn)壓器解決方案的最佳選擇。
BSZ036NE2LSATMA1的產(chǎn)品屬性
零件編號：BSZ036NE2LSATMA1
Rds On - 漏極-源極電阻： 4.1 mOhms
Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2 V
Qg - 柵極電荷： 16 nC
最低工作溫度：- 55 C
BSZ036NE2LSATMA1的特點
通過減少多相轉(zhuǎn)換中的相位數(shù)來節(jié)省整體系統(tǒng)成本
在所有負載條件下降低功耗并提高效率
通過小型封裝或封裝的系統(tǒng)解決方案，如CanPAK?、S3O8等，節(jié)省空間。
大大降低系統(tǒng)EMI，無需外部緩沖網(wǎng)絡(luò)，使產(chǎn)品更容易設(shè)計成
集成電路芯片BSZ036NE2LSATMA1 N溝道MOSFET晶體管 8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
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IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IPT025N15NM6
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