商品名稱：BSZ100N06LS3GATMA1
數(shù)據(jù)手冊：
BSZ100N06LS3GATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：4000 件
集成電路芯片BSZ100N06LS3GATMA1 8-PowerVDFN 60V N通道晶體管
產(chǎn)品屬性
晶體管極性： N-溝道
通道數(shù)： 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：60 V
Id - 連續(xù)漏極電流：20 A
Rds On - 漏極-源極電阻：10 mOhms
Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.2 V
Qg - 柵極電荷： 34 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度： + 150 C
Pd - 功率耗散： 50 W
通道模式： 增強(qiáng)型
產(chǎn)品介紹
BSZ100N06LS3GATMA1 OptiMOS ? 60V是開關(guān)模式電源（SMPS）中同步整流的理想選擇，例如服務(wù)器和臺式機(jī)以及平板電腦充電器中使用的電源。
應(yīng)用
同步整流器
太陽能微逆變器
隔離的DC-DC轉(zhuǎn)換器
12-48V系統(tǒng)的電機(jī)控制
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
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IPT025N15NM6
IPT025N15NM6：150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號：IPT025N15NM6封裝：PG-HSOF-8類型：功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），…電話咨詢：86-755-83294757
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