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商品名稱(chēng):BSZ060NE2LSATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSZ060NE2LSATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:4000 件
集成電路芯片BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN N溝道MOSFET晶體管
產(chǎn)品介紹
BSZ060NE2LSATMA1是OptiMOS? 25V MOSFET晶體管,具有半橋配置(功率級(jí)5x6)。
規(guī)格
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個(gè)通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:25 V
Id - 連續(xù)漏極電流:40 A
Rds On - 漏極-源極電阻:6.5 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2 V
Qg - 柵極電荷: 9.1 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散:26 W
通道模式: 增強(qiáng)型
特點(diǎn)
極低的柵極和輸出電荷
極低的導(dǎo)通電阻和小的封裝尺寸
在所有的負(fù)載條件下,降低了功耗,提高了效率
通過(guò)減少多相轉(zhuǎn)換中的相數(shù)來(lái)節(jié)省整體系統(tǒng)成本
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車(chē)級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ND171N18K
ND171N18K單整流二極管 34 mm 功率塊 1800 V,171 A 模塊,用于采用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)的相位控制。DD98N22K
DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊,采用20mm PowerBLOCK封裝,支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流,適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器,具有多種功能,可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲(chǔ)器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測(cè)試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線(xiàn)…DD89N14K
DD89N14K是整流二極管 20 mm 功率塊 1400 V,89 使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊。DD89N12K
DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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