MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。
規(guī)格
產品： 功率 MOSFET 模塊
類型： 半橋模塊 半橋模塊
技術： SiC 碳化硅
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度 + 150 C
單位重量：8 克
特點
高速開關，低電容
阻斷電壓高，RDS（導通）低
易于并聯(lián)，驅動簡單
抗閂鎖
真正的開爾文源連接
應用
太陽能逆變器
高壓 DC/DC 轉換器
電機驅動器
開關模式電源
不間斷電源
電池充電器
感應加熱
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
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IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT，器件采用專有的XPT?薄晶圓技術和最先進的IGBT工藝研發(fā)，具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數，這些高壓IGBT可用于并聯(lián)，相比串聯(lián)低電壓器件更加經濟高效。 因此，這可減少相關的柵…
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IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT，器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT（打穿）生產。600V GenX3?針對高電流應用進行了優(yōu)化，這類應用需要高達200 kHz的軟開關頻率和40 kHz的硬開關頻率。 這些器件采用了我們久經考驗的打穿（PT）技術，該技術可提高浪涌電流性能、降低…
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IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT，采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結構和新的制造工藝，BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇，因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數。功能與特色:“自由”本…
MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管，帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關- 穩(wěn)健設計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復二極管高性能動態(tài)快速恢復二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強了動態(tài)性能，適用于高頻操作產品屬性隔離電…
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IXTY2P50PA - 500V P-溝道增強型 PolarP? MOSFET 晶體管產品屬性技術： 硅 安裝方式：SMD/SMT封裝/外殼：DPAK-3 (TO-252-3) 晶體管極性：P 溝道 通道數：1 通道 Vds - 漏極-源極擊穿電壓：500 V Id - 漏極連續(xù)電流：2 A Rds On - 漏極-源極電阻：4.2 歐姆 Vgs - …電話咨詢：86-755-83294757
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