商品名稱:氮化鎵晶體管
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:VQFN-46
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝,與以往的分立解決方案相比,由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開(kāi)關(guān)速度。另外,其柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可調(diào)節(jié),這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護(hù)功能和其他附加功能,可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計(jì)旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器,因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開(kāi)關(guān)。
特點(diǎn):
Nano Cap? 集成輸出可選 5V LDO
長(zhǎng)期支持工業(yè)應(yīng)用的產(chǎn)品
VDD 引腳電壓工作范圍寬
IN 引腳電壓工作范圍寬
低 VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高 dv/dt 抗擾度
可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
電源良好信號(hào)輸出
VDD UVLO 保護(hù)
熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用:
? 工業(yè)設(shè)備、高功率密度、高效率要求或橋式拓?fù)涞碾娫矗鐖D騰柱 PFC、LLC 電源、適配器等。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
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