商品名稱:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-VSON-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
描述:
IGB110S101 是一款 100 V 常閉增強(qiáng)型功率晶體管,采用小型 PQFN 3x3 封裝,可實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。由于其低導(dǎo)通電阻,它是在要求苛刻的高電壓和大電流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
應(yīng)用:
?電信 AC/DC 同步整流器
?電信 DC/DC 同步整流器
?機(jī)器人
?電池供電工具
?電動(dòng)汽車,無人機(jī)
?無線充電
?D 類音頻
特征:
?增強(qiáng)模式功率晶體管-常閉開關(guān)
?無反向充電
?反向?qū)芰?/span>
?低柵極電荷,低輸出電荷
?符合 JEDEC 目標(biāo)應(yīng)用程序要求
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ND171N18K
ND171N18K單整流二極管 34 mm 功率塊 1800 V,171 A 模塊,用于采用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)的相位控制。DD98N22K
DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊,采用20mm PowerBLOCK封裝,支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流,適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等高功率應(yīng)用場景。CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲器,具有多種功能,可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線…DD89N14K
DD89N14K是整流二極管 20 mm 功率塊 1400 V,89 使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊。DD89N12K
DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話咨詢:86-755-83294757
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