商品名稱:RGTV00TK65GVC11
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:TO-3PFM
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
RGTV00TK65GVC11 650V場終止溝槽型IGBT采用小型封裝,具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓。具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗和2μs短路耐受時(shí)間等特性。 650V場終止溝槽型IGBT非常適合用于太陽能逆變器、UPS、焊接、IH和PFC應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):45 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):200 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
功率 - 最大值:94 W
開關(guān)能量:1.17mJ(開),940μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:104 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:41ns/142ns
測試條件:400V,50A,10 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-3PFM
應(yīng)用
● 太陽能逆變器
● UPS
● 焊接
● IH
● 功率因數(shù)校正
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
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BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
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