商品名稱(chēng)：BSC065N06LS5
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
BSC065N06LS5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
BSC065N06LS5 是 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 邏輯級(jí)晶體管，非常適合無(wú)線充電、適配器和電信應(yīng)用。該器件的低柵極電荷 (Q g) 可在不影響傳導(dǎo)損耗的情況下降低開(kāi)關(guān)損耗。
產(chǎn)品特性
小型封裝中的低 R DS(on)
低柵極電荷
輸出電荷低
邏輯電平兼容性
優(yōu)勢(shì)
更高的功率密度設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)頻率更高
只要有 5V 電源，就能減少零件數(shù)量
直接由微控制器驅(qū)動(dòng)（開(kāi)關(guān)速度慢）
降低系統(tǒng)成本
潛在應(yīng)用
無(wú)線充電
適配器
電信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén)，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
PASCO2V15
XENSIV? PASCO2V15是一款真正的 CO2 傳感器，它將近紅外技術(shù)與英飛凌的高信噪比 MEMS 麥克風(fēng)相結(jié)合，以極小的外形實(shí)現(xiàn)了最先進(jìn)的精度。
CY8C4025LQS-S413
CY8C4025LQS-S413是一款采用Arm Cortex -M0+ CPU的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器，同時(shí)符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。PSoC 4000S產(chǎn)品系列是PSoC 4平臺(tái)架構(gòu)的一員。它由帶標(biāo)準(zhǔn)通信和時(shí)序外設(shè)的微控制器、具有同類(lèi)最佳性能的電容式觸摸檢測(cè)系統(tǒng)(CAPSENSE)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開(kāi)關(guān)電容模擬…
IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類(lèi)型：汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類(lèi)型：汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類(lèi)型：汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…電話咨詢(xún)：86-755-83294757
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