商品名稱：W25Q128JWBIQ
數(shù)據(jù)手冊：
W25Q128JWBIQ.pdf
品牌：Winbond
年份：23+
封裝：24-TFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
W25Q128JWBIQ（128M位）串行閃存為空間、針腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。25Q系列提供超越普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。該款器件采用1.7V 至 1.95V單電源供電，有源功耗低至1mA，關(guān)斷功耗低至1μA。
規(guī)格
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術(shù)：FLASH - NOR
存儲容量：128Mb
存儲器組織：16M x 8
存儲器接口：SPI - 四 I/O
時鐘頻率：133 MHz
寫周期時間 - 字，頁：-，3ms
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.95V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-TBGA
供應(yīng)商器件封裝：24-TFBGA（6x8）
基本產(chǎn)品編號：W25Q128
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售服務(wù)，向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領(lǐng)域的各個公司，涵蓋…
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設(shè)備。說明：LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進(jìn)。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實(shí)現(xiàn)了更大的帶寬…
W632GU6QB-09
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W634GU6RB11I
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W9825G6KH-6I
W9825G6KH-6I是一種高速同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM），以 4M 字 ? 4 個庫 16 位組織。W9825G6KH 的數(shù)據(jù)帶寬高達(dá)每秒 2 億字。產(chǎn)品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術(shù)： SDRAM 存儲容量： 256Mb 存儲器組織： 16M x 16 存儲器接口： 并聯(lián) 時鐘頻率：…
W632GU6MB-12
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