W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設(shè)備。
說明：
LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬，同時比老一代LPDDR單元使用更少的功率。
W66BP2NQUAFJ的規(guī)格：
存儲器類型：易失
存儲器格式：DRAM
技術(shù)：SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量：2Gb
存儲器組織：64M x 32
存儲器接口：LVSTL_11
時鐘頻率：1.6 GHz
寫周期時間 - 字，頁：18ns
訪問時間：3.6 ns
電壓 - 供電：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TC）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：200-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：200-TFBGA（10x14.5）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
VFBGA-96
2000
SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 2Gb 并聯(lián) 1.067 GHz 20 ns 96-VFBGA（7.5x13）
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設(shè)計、制造和銷售服務(wù)，向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領(lǐng)域的各個公司，涵蓋…
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