商品名稱：W66BM6NBUAFI
數(shù)據手冊：
W66BM6NBUAFI.pdf
品牌：Winbond
年份：23+
封裝：WFBGA-200
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
W66BM6NBUAFI LPDDR4x采用單芯片封裝（SDP），提供16MB X 16DQ X 8個存儲體X 1個通道，密度為2GB（2，147，483，648位）。該LPDDR4x器件在命令/地址（CA）總線上使用2或4時鐘架構，以減少系統(tǒng)中的輸入引腳數(shù)量。6位CA總線包含命令、地址和存儲體信息。
規(guī)格
產品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器
類型: SDRAM - LPDDR4X
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WFBGA-200
數(shù)據總線寬度: 16 bit
組織: 128 M x 16
存儲容量: 2 Gbit
最大時鐘頻率: 1.6 GHz
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電壓-最小: 1.06 V
電源電流—最大值: 40 mA
最小工作溫度: - 40°C
最大工作溫度: + 95°C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存儲器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA（10x14.5）
Winbond
VFBGA-96
2000
SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 2Gb 并聯(lián) 1.067 GHz 20 ns 96-VFBGA（7.5x13）
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設計、制造和銷售服務，向全球客戶提供高品質存儲器解決方案。 產品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產品廣泛應用于物聯(lián)網垂直市場領域的各個公司，涵蓋…
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設備。說明：LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…
W632GU6QB-09
W632GU6QB-09器件是一款2Gb同步動態(tài)隨機存取內存器件。該DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車，工業(yè)，電視，機頂盒，網絡設備，計算機，BD播放器等。W632GU6QB-09的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：DRAM技術：SDRAM - DDR3L存儲容量：2Gb存儲器組織…
W958D6NBKX5I
W958D6NBKX5I是一款密度為256Mb的移動隨機存取內存器件。HyperRAMTM比PSRAM具有更高的吞吐量和更小的外形尺寸。W958D6NBKX5I的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：PSRAM技術：PSRAM（偽 SRAM）存儲容量：256Mb存儲器組織：16M x 16存儲器接口：HyperBus時鐘頻率：200 MHz…
W634GU6RB11I
W634GU6RB11I是一款4Gbit、第三代雙倍數(shù)據傳輸速率同步動態(tài)隨機存取內存器件。說明：DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車，工業(yè)，電視，機頂盒，網絡設備，計算機，BD播放器等。W634GU6RB11I的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：DRAM技術：SDRAM - DD…
W9825G6KH-6I
W9825G6KH-6I是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），以 4M 字 ? 4 個庫 16 位組織。W9825G6KH 的數(shù)據帶寬高達每秒 2 億字。產品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術： SDRAM 存儲容量： 256Mb 存儲器組織： 16M x 16 存儲器接口： 并聯(lián) 時鐘頻率：…
W632GU6MB-12
W632GU6MB-12是一款 2G 位 DDR3L SDRAM，分為 16,777,216 個字 8 個庫 16 位。該器件可實現(xiàn)高達 2133 MT/s 的高速傳輸速率（DDR3L-2133），適用于各種應用。產品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術： SDRAM - DDR3 存儲容量： 2Gb 存儲器組織：128M x 1…電話咨詢：86-755-83294757
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