商品名稱：IPT65R155CFD7
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
IPT65R155CFD7.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：HSOF-8
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：10000 件
IPT65R155CFD7 650 V CoolMOS? CFD7 超級(jí)結(jié) MOSFET 集成了快速體二極管，是諧振高功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的完美選擇。
特征描述
超快體二極管和極低 Qrr
650 V 擊穿電壓
與同類產(chǎn)品相比，開關(guān)損耗顯著降低
隨溫度變化的 RDS(on) 相關(guān)性最低
優(yōu)勢(shì)
出色的硬換向堅(jiān)固性
為增加總線電壓的設(shè)計(jì)提供額外的安全裕度
提高功率密度
在工業(yè) SMPS 應(yīng)用中具有出色的輕載效率
提高了工業(yè) SMPS 應(yīng)用中的滿載效率
與市場(chǎng)上的其他產(chǎn)品相比具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力
潛在應(yīng)用
快速電動(dòng)汽車充電
服務(wù)器電源
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
電信基礎(chǔ)設(shè)施
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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CY8C4025LQS-S413
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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