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IQD020N10NM5CGSC OptiMOS? 功率 MOSFET 100 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有 2,05 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的熱性能，易于功率損耗管理。

IQD020N10NM5CGSC特征

尖端的 100 V 硅技術

出色的 FOM

改進的熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

中心柵極基底面

行業(yè)標準封裝

IQD020N10NM5CGSC規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 26A（Ta），276A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.05 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 159μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 134 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ：±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF @ 50 V  

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），333W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ） 

IQD020N10NM5CGSC優(yōu)勢

最佳開關性能

傳導損耗最小

快速開關

降低電壓過沖

提高最大電流能力

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

易于熱管理

IQD020N10NM5CGSC應用

低壓驅動

多軸飛行器

汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)

輕型電動車

太陽能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

• 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎？

  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。