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IQE050N08NM5 是英飛凌對創(chuàng)新性源極底置技術(shù)的延伸。 OptiMOS? 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源極底置具有 30 V 和極低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源極底置技術(shù)使硅片倒置在元件內(nèi)部。調(diào)整后，源極電位（而非漏極電位）即可通過導(dǎo)熱墊連接到 PCB。這樣就能提供多項優(yōu)勢，如增強(qiáng)熱性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主動散熱要求及有效的熱管理布局有利于實現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)勢。RDS(on) 新標(biāo)桿和創(chuàng)新布局能力使 源極底置 概念在溫度管理方面處于領(lǐng)先地位。源極底置產(chǎn)品組合解決了各種應(yīng)用問題，包括 電機(jī)驅(qū)動、 電信、 SMPS  或 服務(wù)器。目前，有兩種不同的產(chǎn)品尺寸采用了這項新技術(shù)：源極底置標(biāo)準(zhǔn)柵極和源極底置置中柵極（并行優(yōu)化）。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：16A（Ta），101A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） ：5 毫歐 @ 20A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 49μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43.2 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2900 pF @ 40 V    

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝，可潤濕側(cè)翼  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TTFN-9-1  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

潛在應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動

SMPS

服務(wù)器

電信

電池管理

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。