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AI 處理器

AI 加速器

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MRF13750HSR5
NXP

產品說明：750 W連續(xù)波，700-1300 MHz，50 V LDMOS射頻功率晶體管

封裝：NI-1230-4S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF13750HR5
NXP

產品說明：750 W連續(xù)波，700-1300 MHz，50 V LDMOS射頻功率晶體管

封裝：NI-1230-4H
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T23H300W23S
NXP

產品說明：N 溝道增強型側向 MOSFET

封裝：ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G18H610W19NR3
NXP

產品說明：A5G18H610W19N 1805–1880MHz，85W平均值，48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝：OM- 780- 4S4S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T21H456W23SR6
NXP

產品說明：N 溝道增強型側向 MOSFET

封裝：ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T19H455W23SR6
NXP

產品說明：N 溝道增強型側向 MOSFET

封裝：ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H455W23SR6
NXP

產品說明：N 溝道增強型側向 MOSFET

封裝：ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H400W23SR6
NXP

產品說明：1805-1880 MHz，71 W平均值，28 V Airfast? LDMOS射頻功率晶體管

封裝：ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A2T08VD020NT1
NXP

產品說明：728-960 MHz，2 W平均值，48 V Airfast? LDMOS射頻功率晶體管

封裝：24-PQFN-EP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G35H055NT4
NXP

產品說明：3400-3600 MHz，7.6 W平均值，48 V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝：DFN-6
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A3G26D055NT4
NXP

產品說明：射頻 Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN（7x6.5）

封裝：6-LDFN
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H525-04NR6
NXP

產品說明：射頻 Mosfet 48 V 688 mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L

封裝：OM-1230-4L
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H400-04NR3
NXP

產品說明：快速射頻功率 LDMOS 晶體管，720-960 MHz，平均 107 W，48 V

封裝：OM-780-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H300-04NR3
NXP

產品說明：射頻 Mosfet 48 V 400 mA 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L

封裝：OM-780G-4L
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H525-04NR6
NXP

產品說明：射頻 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L

封裝：OM-1230-4L
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H400-04NR3
NXP

產品說明：射頻 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 19.9dB 267W OM-780G-4L

封裝：OM-780G-4L
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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