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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

LMG3425R050RQZR
TI

產(chǎn)品說明:600V 50mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器、保護(hù)、溫度報告和理想二極管模式

封裝:VQFN-54
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R050RQZR
TI

產(chǎn)品說明:600V 50mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能

封裝:VQFN-54
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LTC7068RMSE
ADI

產(chǎn)品說明:具有自適應(yīng)擊穿保護(hù)功能的 150V 半橋驅(qū)動器

封裝:MSOP-10
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
L9026-YO-TR
ST

產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動器 可配置多通道繼電器驅(qū)動器2HS + 6HS/LS

封裝:24-HTSSOP
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090BDWR2G
ON

產(chǎn)品說明:6.5A 柵極驅(qū)動器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC

封裝:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090EDWR2G
ON

產(chǎn)品說明:隔離式大電流 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動器

封裝:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP51561BBDWR2G
ON

產(chǎn)品說明:5kVrms隔離式雙通道4.5/9A柵極驅(qū)動器

封裝:SOIC-16
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FAN8811MNTXG
ON

產(chǎn)品說明:高頻、高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器

封裝:WDFN-10
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCV51705MNTWG
ON

產(chǎn)品說明:單通道 6A 高速、低側(cè) SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器

封裝:QFN-24
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LTC7065RMSE
ADI

產(chǎn)品說明:半橋 柵極驅(qū)動器 IC 非反相 10-MSOP-EP

封裝:MSOP-10
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STDRIVE101TR
ST

產(chǎn)品說明:半橋(3) 驅(qū)動器 DC 電機(jī),通用 功率 MOSFET,IGBT 24-VFQFPN(4x4)

封裝:24-VFQFN
10起
2222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9180D-31QK

產(chǎn)品說明:半橋 柵極驅(qū)動器 IC 非反相 PG-LQFP-64-27

封裝:LQFP-64
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RHRPM4424LK02V
ST

產(chǎn)品說明:抗輻射 4.5 A 雙低壓側(cè) MOSFET 驅(qū)動器

封裝:Flat-10
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MASTERGAN5TR
ST

產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動器 采用兩個增強(qiáng)型 GaN 功率 HEMT 的高功率密度 600 V 半橋驅(qū)動器

封裝:QFN-31
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MASTERGAN4TR
ST

產(chǎn)品說明:采用兩個增強(qiáng)模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半橋驅(qū)動器

封裝:31-VQFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
L99MOD53XPTR
ST

產(chǎn)品說明:用于汽車應(yīng)用的多輸出驅(qū)動器

封裝:PowerSSO-36
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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