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產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安裝 22-PIM(33.8x42.5)
封裝:Module產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 雙路升壓斬波器 118 W 底座安裝 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
封裝:Module產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:表面貼裝型 P 通道 40 V 11.3A(Ta),49A(Tc) 3.2W(Ta),61W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
封裝:8-WDFN產(chǎn)品說明:6.5A 柵極驅(qū)動器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC
封裝:8-SOIC產(chǎn)品說明:6.5A 柵極驅(qū)動器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC
封裝:8-SOIC產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC。65mohm、1200V、M3S。
封裝:D2PAK-7L產(chǎn)品說明:igbt 晶體管 FS4 低 Vcesat igbt 650v 50a to247-3l 帶全額定電流二極管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT - 現(xiàn)場停止,溝槽650 V,50 A
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:降壓,升壓 穩(wěn)壓器 正 輸出 升壓,降壓 I2C DC DC 切換控制器 IC 32-QFN(5x5)
封裝:32-QFN產(chǎn)品說明:二極管 650 V 37A 通孔 TO-247-2
封裝:TO-247-2產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 60 V 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta),166W(Tc) 8-DFN(5x6.15)
封裝:8-PowerVDFN電話咨詢:86-755-83294757
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