最新資訊明佳達(dá)供應(yīng)功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面貼裝型 75 V 106A，全新原裝，現(xiàn)貨庫(kù)存，實(shí)單有接受價(jià)可詳談！
明佳達(dá)供應(yīng)功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面貼裝型 75 V 106A，全新原裝，現(xiàn)貨庫(kù)存，實(shí)單有接受價(jià)可詳談！
產(chǎn)品型號(hào)：IRF3808STRRPBF
批號(hào)：11+
封裝：TO-263
描述：MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
優(yōu)勢(shì)
先進(jìn)的工藝技術(shù)
超低導(dǎo)通電阻
動(dòng)態(tài)dv/dt等級(jí)
175°C工作溫度
快速開(kāi)關(guān)
允許重復(fù)雪崩，最高可達(dá) Tjmax
無(wú)鉛
屬性參數(shù)
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續(xù)漏極電流: 106 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 120 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 100 S
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
上升時(shí)間: 140 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 68 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
典型應(yīng)用
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時(shí)間：2024-11-22
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