9月26日訊，韓國SK海力士宣布，已開始量產(chǎn)全球首款12層HBM3E產(chǎn)品，容量為36GB，這是迄今為止現(xiàn)有HBM的最大容量。SK海力士聲稱，12層HBM3E產(chǎn)品在速度、容量和穩(wěn)定性方面均達到全球最高標準。該公司計劃在年內(nèi)向客戶提供量產(chǎn)產(chǎn)品。受此消息影響，SK海力士股價周四在韓股市場…
9月26日訊，韓國SK海力士宣布，已開始量產(chǎn)全球首款12層HBM3E產(chǎn)品，容量為36GB，這是迄今為止現(xiàn)有HBM的最大容量。
SK海力士聲稱，12層HBM3E產(chǎn)品在速度、容量和穩(wěn)定性方面均達到全球最高標準。該公司計劃在年內(nèi)向客戶提供量產(chǎn)產(chǎn)品。
受此消息影響，SK海力士股價周四在韓股市場上大漲。截至發(fā)稿，該公司股價日內(nèi)漲幅已達到8.89%。
據(jù)該公司介紹，12層HBM3E產(chǎn)品在速度、容量、穩(wěn)定性等人工智能存儲器所必需的所有領(lǐng)域都符合世界最高標準。
SK海力士將內(nèi)存運行速度提高到9.6 Gbps，這是目前可用的最高內(nèi)存速度。如果大型語言模型Llama 3 70b由單個搭載4個HBM3E產(chǎn)品的GPU驅(qū)動，每秒可讀取總計700億個參數(shù)35次。
SK海力士的12層產(chǎn)品和此前同等厚度的8層產(chǎn)品相比，容量增加了50%。為了實現(xiàn)這一目標，該公司將每個DRAM芯片比以前薄40%，并使用TSV技術(shù)垂直堆疊。
該公司還通過應(yīng)用其核心技術(shù)Advanced MR-MUF工藝，解決了由于將更薄的芯片堆疊得更高而產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)問題。這使得新一代產(chǎn)品散熱性能比上一代產(chǎn)品高10%，并通過增強翹曲控制來確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
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