NCD57001FDWR2G：隔離式高電流SiC/MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器概述NCD57001FDWR2G是一款高電流單通道SiC/MOSFET/IGBT驅(qū)動器，具有內(nèi)部電流隔離功能，設(shè)計(jì)用于提高系統(tǒng)效率和可靠性。該柵極驅(qū)動器具有互補(bǔ)輸入、開漏故障和就緒輸出、有源米勒鉗位、精確欠壓閉鎖 (UVLO)、去飽和…
NCD57001FDWR2G：隔離式高電流SiC/MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器
概述
NCD57001FDWR2G是一款高電流單通道SiC/MOSFET/IGBT驅(qū)動器，具有內(nèi)部電流隔離功能，設(shè)計(jì)用于提高系統(tǒng)效率和可靠性。該柵極驅(qū)動器具有互補(bǔ)輸入、開漏故障和就緒輸出、有源米勒鉗位、精確欠壓閉鎖 (UVLO)、去飽和 (DESAT) 保護(hù)以及去飽和 (DESAT) 時(shí)軟關(guān)斷等特性。安森美半導(dǎo)體NCD57001FDWR2G柵極驅(qū)動器可在輸入側(cè)提供5V和3.3V信號，在驅(qū)動器側(cè)提供較寬的偏置電壓范圍，包括負(fù)電壓能力。該柵極驅(qū)動器具有5kVrms（符合UL1577標(biāo)準(zhǔn)）電流隔離和1200Viorm（工作電壓）功能。典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、電機(jī)控制、不間斷電源 (UPS)、工業(yè)電源和焊接。
特性
在IGBT米勒平臺電壓下具有+4/-6A大電流輸出
低輸出阻抗，用于增強(qiáng)型IGBT驅(qū)動
傳播延遲時(shí)間短，具有精確匹配
有源米勒鉗位，防止雜散柵極導(dǎo)通
DESAT保護(hù)，帶可編程延遲
針對DESAT的負(fù)電壓（低至-9 V）能力
IGBT短路期間的軟關(guān)斷
短路期間的IGBT柵極鉗位
IGBT柵極有源下拉
UVLO閾值小，實(shí)現(xiàn)偏置靈活性
寬偏置電壓范圍，包括負(fù)VEE2
輸入電源電壓范圍：3.3V至5V
設(shè)計(jì)用于符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
5000V電流隔離（以滿足UL1577要求）
1200V工作電壓（符合VDE0884-10要求）
高瞬態(tài)抗擾度
高電磁抗擾度
無鉛、無鹵，符合RoHS指令
應(yīng)用
太陽能逆變器
電機(jī)控制
UPS
工業(yè)電源
焊接
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企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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