久久久久久无码精品大片,中文人妻无码一区二区三区,人妻丰满熟妇无码区免费

產(chǎn)品分類

最新資訊: 公司動態(tài); 行業(yè)資訊

首頁 /公司動態(tài) /

英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封裝

來源：本站時間：2022-08-23瀏覽數(shù)：

供求全新原裝?英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封裝，明佳達(dá)只做原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)勢，實單有接受價可詳談，報價請以當(dāng)天為準(zhǔn)，歡迎聯(lián)系qq1668527835，電話13410018555?。?！

供求全新原裝英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封裝，明佳達(dá)只做原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)勢，實單有接受價可詳談，報價請以當(dāng)天為準(zhǔn)，歡迎聯(lián)系qq1668527835，電話13410018555?。。?/span>

供應(yīng)型號：IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1

年份：最新21+

描述：通孔 N 通道 1200 V 55A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4-8

說明：英飛凌采用 TO247 4 引腳封裝的 SiC MOSFET 可降低柵極電路上的寄生源極電感效應(yīng)，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)速度并提高效率。

規(guī)格

FET 類型 N 通道

技術(shù) SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss） 1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 55A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 54.4 毫歐 @ 19.3A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 8.3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +20V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 227W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-8

封裝/外殼 TO-247-4

好處

最高效率

減少冷卻工作

更高頻率的操作

增加功率密度

降低系統(tǒng)復(fù)雜性

應(yīng)用

電池化成

電動汽車快速充電

電機控制和驅(qū)動

電源管理 (SMPS) - 參考設(shè)計

光伏能源系統(tǒng)解決方案

公司還收購英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET，長期高價回收各類電子呆料庫存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲器、繼電器、MOS管、單片機、二三級管等產(chǎn)品。

回收具體流程：

1、您將積壓的IC/模組庫存進行簡單分類，確定型號、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等；

2、請將庫存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們評估團隊；

3、等待公司專業(yè)人士的采購報價，達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進行交付；

4、只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。

公司首頁：m.jasain.com

收購英飛凌產(chǎn)品 IMZ120R140M1HXKSA1 1200V溝槽式碳化硅MOSFET 返回
列表供應(yīng)溝槽式功率器件 IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1 650V SiC MOSFET