明佳達全新原裝供應碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。
明佳達全新原裝供應碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。
產品型號：IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
品牌： INFINEON
年份：最新21+
封裝： TO-263-7
參數(shù)
產品種類: MOSFET
技術: SiC
安裝風格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 54 A
Rds On-漏源導通電阻: 51 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.7 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 211 W
優(yōu)勢
高性能、高可靠性且易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低系統(tǒng)成本和復雜度
打造成本更低、結構更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)
采用連續(xù)硬換向拓撲
適于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實現(xiàn)雙向拓撲
應用
服務器
電信
開關電源 (SMPS)
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動汽車充電
電機驅動器
同款系列：
IGI60F100A1L/IGI60F100A1LAUMA1
IGI60F1414A1L/IGI60F1414A1LAUMA1
IMBG120R220M1H/IMBG120R220M1HXTMA1
IMZA120R014M1H/IMZA120R014M1HXKSA1
IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG120R090M1H/IMBG120R090M1HXTMA1
IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1
IMW120R007M1H/IMW120R007M1HXKSA1
IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1
IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1
IMW65R107M1H/IMW65R107M1HXKSA1
IMBF170R1K0M1/IMBF170R1K0M1XTMA1
歡迎聯(lián)系
QQ：1668527835
電話：13410018555
郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司網站：m.jasain.com
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![回收 [Renesas] 汽車光耦合器、RH850 汽車 MCU、RL78 汽車 MCU、汽車傳感器](/upload/202411/22/202411221356019116.jpg)
