昨（25）日上午，三星電子在韓國京畿道華城廠舉行3nm芯片出貨儀式，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長、三星電子DS部門負責人、高管和員工、供應商和無晶圓廠高管等約100人參加了此次活動。
據(jù)報道，昨（25）日上午，三星電子在韓國京畿道華城廠舉行3nm芯片出貨儀式，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長、三星電子DS部門負責人、高管和員工、供應商和無晶圓廠高管等約100人參加了此次活動。
報道稱，DS部門負責人在致辭中表示，“三星電子憑借此次量產(chǎn)在代工業(yè)務上取得了成功。GAA技術的早期開發(fā)成功，將成為FinFET晶體管達到技術極限時的新替代品，是一項從無到有的產(chǎn)品創(chuàng)新結果。”
據(jù)悉，三星電子3nm芯片采用GAA晶體管結構，與5nm芯片相比，3nm芯片可降低多達45%的功耗，同時提升23%的性能和減少16%的尺寸。
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