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MASTERGAN4(ST)采用兩個增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度6.5A半橋驅(qū)動器

MASTERGAN4(ST)采用兩個增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度6.5A半橋驅(qū)動器

來源:本站時間:2024-01-02瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司(供應(yīng))(回收)MASTERGAN4(ST)采用兩個增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度6.5A半橋驅(qū)動器。概述:MasterGaN4是一款先進(jìn)的電源系統(tǒng)級封裝,在半橋配置中集成了一個柵極驅(qū)動器和兩個增強(qiáng)型GaN功率晶體管。集成電源GAN具有650 V漏源阻斷電壓和225 m?的…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司(供應(yīng))(回收)MASTERGAN4(ST)采用兩個增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度6.5A半橋驅(qū)動器。


概述:

MasterGaN4是一款先進(jìn)的電源系統(tǒng)級封裝,在半橋配置中集成了一個柵極驅(qū)動器和兩個增強(qiáng)型GaN功率晶體管。集成電源GAN具有650 V漏源阻斷電壓和225 m?的RDS(ON),而嵌入式柵極驅(qū)動器的高端可通過集成自舉二極管輕松供電。


MasterGaN4在較低和較高驅(qū)動部分均具有UVLO保護(hù)功能,可防止電源開關(guān)在低效率或危險條件下工作,聯(lián)鎖功能可避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)情況。


輸入引腳的擴(kuò)展范圍允許與微控制器、DSP單元或霍爾效應(yīng)傳感器輕松接口。


MasterGaN4可在-40°C至125°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。該器件采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。

框圖.png

產(chǎn)品特性:

電源系統(tǒng)級封裝,集成半橋柵極驅(qū)動器和高壓GaN晶體管:

BVDSS=650V

RDS(ON)=150mΩ

IDS(MAX)=10A

反向電流能力

零反向恢復(fù)損耗

低側(cè)和高側(cè)UVLO保護(hù)

內(nèi)置自舉二極管

聯(lián)鎖功能

專用引腳,用于關(guān)斷功能

精確的內(nèi)部時序匹配

3.3V至15V兼容輸入,具有遲滯和下拉功能

過溫保護(hù)

材料清單減少

超緊湊、簡化的布局

靈活、簡單、快速的設(shè)計


應(yīng)用:

?開關(guān)模式電源

?充電器和適配器

?高壓PFC、DC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換器


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