最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求氮化鎵功率芯片 NV6152-RA 門驅(qū)動(dòng)器 GaNFast，帶 GaNSense，單路，650V，450mOhms，PQFN 5x6描述氮化鎵功率芯片NV6152是新一代功率芯片產(chǎn)品，內(nèi)部集成GaNSense無(wú)損電流檢測(cè)電路，省去了外部電流檢測(cè)電阻，消除電流檢測(cè)電阻功耗，提高充電器轉(zhuǎn)…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求氮化鎵功率芯片 NV6152-RA 門驅(qū)動(dòng)器 GaNFast，帶 GaNSense，單路，650V，450mOhms，PQFN 5x6
描述
氮化鎵功率芯片NV6152是新一代功率芯片產(chǎn)品，內(nèi)部集成GaNSense無(wú)損電流檢測(cè)電路，省去了外部電流檢測(cè)電阻，消除電流檢測(cè)電阻功耗，提高充電器轉(zhuǎn)換效率，并且內(nèi)置的無(wú)損電流檢測(cè)，還提供了更快速的過(guò)電流保護(hù)功能，搭配智能待機(jī)模式，進(jìn)一步提升性能和可靠性，并降低待機(jī)功耗。
NV6152內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器、高精度無(wú)損耗電流采樣電路以及保護(hù)電路，導(dǎo)通電阻為450mΩ，耐壓650V，瞬態(tài)耐壓800V，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用5*6mm QFN封裝，節(jié)省面積。
產(chǎn)品型號(hào): NV6152-RA
產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers
類型: Half-Bridge
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PQFN-5x6-8
激勵(lì)器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
電源電壓-最小: 10 V
電源電壓-最大: 24 V
配置: Inverting
上升時(shí)間: 6 ns
下降時(shí)間: 3 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: GaNFast with GaNSense Technology
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Gate Drivers
傳播延遲—最大值: 11 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術(shù): GaN
商標(biāo)名: GaNFast
長(zhǎng)期回收氮化鎵芯片 NV6152-RA 采用 GaNSense? 技術(shù)的 GanFast? 電源集成電路，只收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等。
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